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BAT43XV2 PDF预览

BAT43XV2

更新时间： 2023-09-03 20:30:00
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI PC光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 102K
描述
肖特基势垒二极管

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BAT43XV2 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：R-PDSO-F2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：1.26配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.33 VJESD-30 代码：R-PDSO-F2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：4 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：125 °C
最大输出电流：0.2 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：0.2 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：30 V
最大反向恢复时间：0.005 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

BAT43XV2 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
Schottky Barrier Diodes  
BAT43XV2  
ELECTRICAL SYMBOL  
Cathode  
Anode  
Features  
• Low Forward Voltage Drop  
2
• Flat Lead, Surface Mount Device at 0.60 mm Height  
• Extremely Small Outline Plastic Package SOD−523  
• Moisture Level Sensitivity 1  
1
SOD−523  
CASE 502−01  
• Matte Tin (Sn) Lead Finish  
• Green Mold Compound  
MARKING DIAGRAM  
• This Device is Pb−Free and is RoHS Compliant  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
7B M  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
V
1
2
V
RRM  
Maximum Repetitive Reverse Voltage  
Maximum DC Blocking Voltage  
Average Rectified Forward Current  
Peak Forward Surge Current  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
30  
V
30  
200  
V
(Band Indicates Cathode)  
R
I
mA  
A
F(AV)  
7B  
M
= Specific Device Code  
= Date Code  
I
4
FSM  
T
+125  
°C  
°C  
J
T
−65 to +125  
STG  
ORDERING INFORMATION  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
†
Device  
BAT43XV2  
Package  
Shipping  
SOD−523  
(Pb−Free)  
8000 /  
Tape & Reel  
THERMAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
Symbol  
Parameter  
Power Dissipation  
Value  
200  
Unit  
mW  
P
D
R
Thermal Resistance,  
Junction to Ambient  
500  
°C/W  
θ
JA  
NOTE: Device mounted on FR−4 PCB minimum land pad.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Symbol  
BV  
Parameter  
Breakdown Voltage  
Test Conditions  
= 100 mA  
R
Min  
Typ  
Max  
Unit  
V
I
30  
R
I
Reverse Leakage Current  
Forward Voltage  
V
= 25 V  
500  
nA  
V
R
R
V
I = 2 mA  
0.26  
0.33  
0.45  
1.0  
F
F
I = 15 mA  
F
I = 200 mA  
F
T
Reverse Recovery Time  
Capacitance  
I = I = 10 mA, R = 100 W,  
RR  
5
7
nS  
pF  
RR  
F
I
R
L
= 1 mA  
C
V = 1 V, f = 1 MHz  
R
Product parametric performance is indicated in the Electrical Characteristics for the listed test conditions, unless otherwise noted. Product  
performance may not be indicated by the Electrical Characteristics if operated under different conditions.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2009  
1
Publication Order Number:  
April, 2022 − Rev. 1  
BAT43XV2/D  
123

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