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BAT42W

更新时间： 2024-02-09 05:37:37

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金誉半导体 - HTSEMI		肖特基二极管
页数	文件大小	规格书
3页	733K
描述
SCHOTTKY DIODES

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BAT42W 技术参数

类别：	二极管	配置：	Single
VRRM (V) max：	30	IF (A) max：	0.1
VF (V) max：	1	Condition1_IF (A)：	0.2
IFSM (A) max：	4	IR (uA) max：	0.5
Condition2_VR (V)：	25	trr (ns) max：	5
AEC Qualified：	No	最高工作温度：	125
最低工作温度：	-55	MSL等级：	1
生命周期：	Active	是否无铅：	Yes
符合Reach：	Yes	符合RoHS：	Yes
ECCN代码：	EAR99	Package Outlines：	SOD-523

BAT42W 数据手册

BAT42W/BAT43W

SCHOTTKY DIODES

SOD-123

FEATURES

Low Forward Voltage Drop

Fast Switching Time

Surface Mount Package Ideally Suited for Automatic Insertion

MARKING: BAT42W S7

BAT43W S8

Maximum Ratings and Electrical Characteristics, Single Diode @T_A=25℃

Parameter

Symbol

BAT42W/BAT43W

Unit

Peak Repetitive Peak reverse voltage

Working Peak

V_RRM

V_RWM

V_R

DC Blocking

Voltage

RMS Reverse Voltage

V_R(RMS)

I_FM

200

Forward Continuous Current

Repetitive Peak Forward Current @t<1.0s

Peak forward surge current @<10ms

Power Dissipation

I_FRM

I_FSM

P_D

500

4.0

500

℃/W

℃

Thermal Resistance Junction to Ambient

Storage temperature

R_θJA

T_STG

250

-55~+150

Electrical Ratings @T_A=25℃

Parameter

Symbol

V _(BR)R

V_F

Min.

Typ.

Max. Unit

Conditions

Reverse Breakdown Voltage

IR=10μA

I_F=200mA

I_F=10mA

I_F=50mA

I_F=2mA

1.0

0.4

All Types

BAT42W

V_F

Forward voltage

BAT42W

BAT43W

V_F

0.65

0.33

0.45

0.5

V_F

0.26

V_F

I_F=15mA

V_R=25V

Reverse current

I_R

μA

Capacitance between terminals

Reverse Recovery Time

C_T

V_R=1.0V,f=1.0MHz

I_F=I_R=10mA

t_rr

Irr=0.1XI_R,R_L=100Ω

JinYu

semiconductor

www.htsemi.com

Date:2011/05

12 3

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