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BAS40WS_R1_00001

更新时间: 2024-01-22 14:57:08
品牌 Logo 应用领域
强茂 - PANJIT 光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 245K
描述
SURFACE MOUNT SCHOTTKY DIODES

BAS40WS_R1_00001 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:R-PDSO-F2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.56
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-F2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:0.2 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED最大功率耗散:0.225 W
最大重复峰值反向电压:40 V表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

BAS40WS_R1_00001 数据手册

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BAS40WS  
100  
100  
TJ  
=125OC  
10  
10  
1.0  
0.1  
0.01  
0
TJ  
=75OC  
1.0  
TJ  
=25OC  
TA=25OC  
0.1  
0
10  
20  
30  
40  
0
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
REVERSE VOLTAGE, Volts  
FORWARD VOLTAGE, Volts  
FIG. 1 TYPICAL FORWARD CHARACTERISTIC  
FIG. 2 TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS  
400  
3.0  
2.0  
1.0  
0
300  
200  
100  
0
10  
20  
30  
40  
0
50  
100  
150  
200  
REVERSE VOLTAGE, Volts  
AMBIENT TEMPERATURE(OC)  
FIG. 3 TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE  
FIG. 4 FORWARD CURRENT DERATING  
50  
40  
30  
20  
10  
0
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
TJ, Junction Temperature (°C)  
Fig.5 Operating Temperature Derating Curve  
April 21,2016-REV.09  
PAGE . 3  

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