BAS4002S-02LRH

更新时间： 2024-10-02 06:41:27

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英飞凌 - INFINEON		整流二极管肖特基二极管
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Low VF Schottky Diode

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BAS4002S-02LRH 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DFN
包装说明：	R-XBCC-N2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.72
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-XBCC-N2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
最大输出电流：	0.2 A	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
Base Number Matches：	1

BAS4002S-02LRH 数据手册

BAS4002S-02LRH

Low VF Schottky Diode

• Reverse voltage: 40 V

• Forward current: 0.2 A

• Low forward voltage and smallest package

form factor (1.0 x 0.6 x < 0.4 mm) for

mobile phone battery charger application

• Pb-free (RoHS compliant) package

• Qualified according AEC Q101

BAS4002S-02LRH

Type

BAS4002S-02LRH

Package

TSLP-2-17

Configuration

single

Marking

Maximum Ratings at T = 25 °C, unless otherwise specified

Parameter

Diode reverse voltage

Forward current , T ≤ 138 °C

Non-repetitive peak surge forward current

(t ≤ 10 ms)

Symbol

Value

0.2

Unit

FSM

150

°C

Junction temperature

Operating temperature range

Storage temperature

-55 ...150

-65 ...150

stg

Thermal Resistance

Junction - soldering point

K/W

≤ 60

thJS

¹For T > 25 °C the derating of V and I has to be considered.

²For calculation of R

please refer to Application Note Thermal Resistance

thJA

2009-02-02

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