BAS4002A-RPP

更新时间： 2024-10-02 08:48:27

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Low VF Schottky Diode Array

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BAS4002A-RPP 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-G4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.72	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ANODE	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e3
最大非重复峰值正向电流：	2 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	0.2 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	Base Number Matches：	1

BAS4002A-RPP 数据手册

BAS4002A...

Low VF Schottky Diode Array

• Reverse voltage: 40 V

• Forward current: 0.2 A

• Small diode quad array for polarity independance,

reverse polarity protection and low loss

bridge rectification

• Very low forward voltage: 0.55 @ 0.1 A (per diode)

• Fast switching

• Pb-free (ROHS compliant) package

• Qualified according AEC Q101

BAS4002A-RPP

Type

BAS4002A-RPP

Package

SOT143

Configuration

bridge

Marking

E9s

Maximum Ratings at T = 25 °C, unless otherwise specified

Parameter

Diode reverse voltage

Peak reverse voltage

RMS reverse voltage

Forward current , T ≤ 124 °C

Non-repetitive peak surge forward current

(t ≤ 10 ms)

Symbol

Value

Unit

R(RMS)

200

FSM

°C

Junction temperature

Storage temperature

150

-65 ...150

stg

Thermal Resistance

Parameter

Junction - soldering point

Symbol

Value

≤ 130

Unit

K/W

thJS

¹For T_A> 25°C the derating of V_Rand I_Fhas to be considered.

²For calculation of R

please refer to Application Note Thermal Resistance

thJA

2008-05-16

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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BAS4002A-RPP-E6433	INFINEON	获取价格	Bridge Rectifier Diode, Schottky, 0.2A, 40V V(RRM),
BAS40-02L	INFINEON	获取价格	Silicon Schottky Diode
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