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BAS21VM

更新时间： 2024-01-22 03:18:16
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 993K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 250V V(RRM), Silicon,

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BAS21VM 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PDSO-F2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.57配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-F2元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最大输出电流：0.2 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：0.25 W
最大重复峰值反向电压：250 V最大反向恢复时间：0.05 µs
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

BAS21VM 数据手册

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Switching Diode  
Datasheet  
BAS21VM  
Series  
Dimensions (Unit : mm)  
Land Size Figure (Unit : mm)  
0.9  
High frequency switching  
Application  
General rectification  
Structure  
Cathode  
Features  
ROHM : UMD2  
JEDEC : SOD-323  
1) Small power mold type  
(UMD2)  
: dot (year,week,day,factory)  
Anode  
2) High speed switching  
Taping Dimensions (Unit : mm)  
3) High current overload capacity  
Construction  
Silicon epitaxial planar type  
Absolute Maximum Ratings (Ta= 25°C)  
Parameter  
Repetitive peak reverse voltage  
Reverse voltage  
Conditions  
Duty≦0.5  
Limits  
250  
200  
200  
625  
10  
Symbol  
VRM  
VR  
Unit  
V
Direct reverse voltage  
Direct forward current  
tp ≦1s, Duty≦0.5  
V
IF  
Forward current  
mA  
mA  
IFRM  
Repetitive peak forward current  
Square wave ,  
t=1μs  
t=10ms  
IFSM  
Non-repetitive forward surge current  
A
Non-repetitive at Tj=25ºC  
2
Ptot  
Tj  
Glass epoxy mounted *  
250  
150  
Power dissipation  
mW  
°C  
-
-
Operating junction temperature  
Storage temperature  
Tstg  
55 to 150 °C  
* 20mm x 20mm x 0.8mm, FR-4 both side is all covered with copper.  
Electrical Characteristics (Tj= 25°C)  
Parameter  
Conditions  
IF=100mA  
IF=200mA  
Symbol  
VF  
Min. Typ. Max. Unit  
0.75 0.93 1.0  
0.8 1.05 1.25  
V
V
Forward voltage  
Tj=25ºC  
-
-
-
-
-
-
100 nA  
IR  
VR=200V  
Reverse current  
Tj=150ºC  
-
-
100  
50  
-
A  
ns  
pF  
IF=30mA, IR=30mA, RL=100Ω, Irr=0.1×IR  
VR=0V, f=1MHz  
trr  
Ct  
Reverse recovery time  
Terminal capacitance  
Thermal resistance  
2.5  
-
Rth(j-a)  
Junction to ambient  
300 °C/W  
www.rohm.com  
© 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
2016.09 - Rev.A  
1/4  
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