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BAS21VMTE-17

更新时间： 2024-02-22 19:22:31

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		光电二极管
页数	文件大小	规格书
7页	994K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 250V V(RRM), Silicon,

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BAS21VMTE-17 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	Factory Lead Time：	12 weeks
风险等级：	5.52	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	0.2 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大功率耗散：	0.25 W
最大重复峰值反向电压：	250 V	最大反向恢复时间：	0.05 µs
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

BAS21VMTE-17 数据手册

Switching Diode

Datasheet

BAS21VM

Series

Dimensions (Unit : mm)

Land Size Figure (Unit : mm)

0.9

High frequency switching

Application

General rectification

UMD2

Structure

Cathode

Features

ROHM : UMD2

JEDEC : SOD-323

1) Small power mold type

(UMD2)

: dot (year,week,day,factory)

Anode

2) High speed switching

Taping Dimensions (Unit : mm)

3) High current overload capacity

Construction

Silicon epitaxial planar type

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25°C)

Parameter

Repetitive peak reverse voltage

Reverse voltage

Conditions

Duty≦0.5

Limits

250

200

625

Symbol

V_RM

V_R

Unit

Direct reverse voltage

Direct forward current

tp ≦1s, Duty≦0.5

I_F

Forward current

I_FRM

Repetitive peak forward current

Square wave ,

t=1μs

t=10ms

I_FSM

Non-repetitive forward surge current

Non-repetitive at T_j=25ºC

P_tot

T_j

Glass epoxy mounted *

250

150

Power dissipation

°C

Operating junction temperature

Storage temperature

T_stg

55 to 150 °C

* 20mm x 20mm x 0.8mm, FR-4 both side is all covered with copper.

Electrical Characteristics (T_j= 25°C)

Parameter

Conditions

I_F=100mA

I_F=200mA

Symbol

V_F

Min. Typ. Max. Unit

0.75 0.93 1.0

0.8 1.05 1.25

Forward voltage

T_j=25ºC

100 nA

I_R

V_R=200V

Reverse current

T_j=150ºC

100

A

I_F=30mA, I_R=30mA, R_L=100Ω, I_rr=0.1×I_R

V_R=0V, f=1MHz

t_rr

C_t

Reverse recovery time

Terminal capacitance

Thermal resistance

2.5

R_th(j-a)

Junction to ambient

300 °C/W

www.rohm.com

2016.09 - Rev.A

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