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BAS19,235

更新时间： 2024-02-24 02:19:48

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恩智浦 - NXP		光电二极管
页数	文件大小	规格书
10页	74K
描述
BAS19 - High-voltage switching diode TO-236 3-Pin

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BAS19,235 技术参数

Source Url Status Check Date：	2013-06-14 00:00:00	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-236
包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.05
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.25 V
JEDEC-95代码：	TO-236AB	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值正向电流：	2.5 A	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	0.2 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	最大功率耗散：	0.25 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	120 V
最大反向电流：	0.1 µA	最大反向恢复时间：	0.05 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
Base Number Matches：	1

BAS19,235 数据手册

NXP Semiconductors

Product data sheet

General purpose diodes

BAS19; BAS20; BAS21

LIMITING VALUES

In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN.

MAX.

UNIT

V_RRM

repetitive peak reverse voltage

BAS19

−

120

BAS20

200

250

BAS21

V_R

continuous reverse voltage

BAS19

−

100

150

200

625

BAS20

BAS21

I_F

continuous forward current

repetitive peak forward current

see Fig.2; note 1

I_FRM

I_FSM

non-repetitive peak forward current square wave; T_j= 25 °C prior to

surge; see Fig.4

t = 1 µs

−

t = 100 µs

t = 10 ms

1.7

250

+150

150

P_tot

T_stg

T_j

total power dissipation

storage temperature

junction temperature

T_amb= 25 °C; note 1

°C

−65

−

Note

1. Device mounted on an FR4 printed-circuit board.

2003 Mar 20

1 234 5 6 7...10

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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