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BAS19/T3

更新时间: 2024-01-26 22:28:54
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 127K
描述
DIODE 0.2 A, 120 V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, Signal Diode

BAS19/T3 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:R-PDSO-G3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.32配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码:TO-236ABJESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C最大输出电流:0.2 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大功率耗散:0.25 W最大重复峰值反向电压:120 V
最大反向恢复时间:0.05 µs表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED

BAS19/T3 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
BAS19; BAS20; BAS21  
General purpose diodes  
Product data sheet  
2003 Mar 20  
Supersedes data of 1999 May 26  

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
BAS19/T4 NXP DIODE 0.2 A, 120 V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, Signal Diode

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