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BAQ33GS18

更新时间: 2024-11-15 14:47:59
品牌 Logo 应用领域
TEMIC 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 47K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon,

BAQ33GS18 技术参数

生命周期:TransferredReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.71外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1 V
JESD-30 代码:O-LELF-R2最大非重复峰值正向电流:2 A
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:200 °C最大输出电流:0.2 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM认证状态:Not Qualified
最大反向电流:0.003 µA表面贴装:YES
端子形式:WRAP AROUND端子位置:END
Base Number Matches:1

BAQ33GS18 数据手册

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