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BAL99W-T

更新时间: 2024-11-23 21:18:27
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 光电二极管
页数 文件大小 规格书
12页 63K
描述
DIODE 85 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode

BAL99W-T 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.23配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
最大功率耗散:0.2 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:85 V最大反向恢复时间:0.004 µs
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUALBase Number Matches:1

BAL99W-T 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
BAL99W  
High-speed diode  
1999 May 06  
Product specification  
Supersedes data of 1996 Sep 10  

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