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BA892-02L

更新时间: 2024-11-08 22:25:23
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英飞凌 - INFINEON 微波混频二极管开关射频开关
页数 文件大小 规格书
4页 420K
描述
Silicon RF Switching Diode

BA892-02L 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DFN
包装说明:LEADLESS, TSLP-2-1, 2 PIN针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.60风险等级:5.83
Is Samacsys:N配置:SINGLE
最大二极管电容:1.4 pF标称二极管电容:0.92 pF
二极管元件材料:SILICON二极管类型:MIXER DIODE
频带:VERY HIGH FREQUENCYJESD-30 代码:R-XBCC-N2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
参考标准:AEC-Q101最大重复峰值反向电压:35 V
子类别:Varactors表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:NO LEAD
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

BA892-02L 数据手册

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BA592/BA892...  
Silicon RF Switching Diode  
For band switching in TV/VTR tuners  
and mobile applications  
Very low forward resistance (typ. 0.45 @ 3 mA)  
small capacitance  
BA592  
BA892/-02L  
BA892-02V  
1
2
Type  
Package  
SOD323  
SCD80  
TSLP-2-1  
SC79  
Configuration  
single  
single  
single, leadless  
single  
L (nH) Marking  
S
BA592  
1.8  
0.6  
0.4  
0.6  
blue S  
AA  
BA892  
BA892-02L  
BA892-02V  
AA  
A
Maximum Ratings at T = 25°C, unless otherwise specified  
A
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
35  
100  
150  
V
mA  
°C  
Diode reverse voltage  
Forward current  
Junction temperature  
Operating temperature range  
Storage temperature  
V
R
I
F
T
j
T
T
-55 ... 125  
-55 ... 150  
op  
stg  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction - soldering point  
Symbol  
Value  
Unit  
K/W  
1)  
R
thJS  
BA592  
BA892, BA892-02V  
BA892-02L  
135  
120  
70  
1For calculation of RthJA please refer to Application Note Thermal Resistance  
Feb-04-2003  
1

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