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BA682

更新时间： 2024-02-26 04:59:08
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科信 - KEXIN 二极管开关
页数 文件大小 规格书
1页 33K
描述
Band-switching diodes

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BA682 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：O-LELF-R2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.71外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：O-LELF-R2
元件数量：1端子数量：2
封装主体材料：GLASS封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：WRAP AROUND
端子位置：ENDBase Number Matches：1

BA682 数据手册

  
SMD Type  
Diodes  
Band-switching diodes  
BA682; BA683  
LL-34  
Unit: mm  
Features  
2.64REF  
1.50  
1.30  
Continuous reverse voltage:max. 35 V  
Continuous forward current:max. 100 mA  
Low diode capacitance:max. 1.5 pF  
0.50  
0.35  
Low diode forward resistance:max. 0.7 to 1.2  
3.60  
3.30  
Absolute Maximum Ratings Ta = 25  
Parameter  
Continuous reverse voltage  
Symbol  
VR  
Conditions  
Min  
-65  
Max  
35  
Unit  
V
Continuous forward current  
IF  
single diode loaded  
100  
+150  
150  
300  
600  
mA  
Storage temperature  
Tstg  
Junction temperature  
Tj  
Thermal resistance from junction to tie-point  
Thermal resistance from junction to ambient  
Rth j-t p  
Rth j-a  
K/W  
K/W  
Electrical Characteristics Ta = 25  
Parameter  
Symbol  
VF  
Conditions  
Max  
1.0  
50  
Unit  
V
Forward voltage  
IF = 100 mA  
VR = 20 V  
nA  
A
Reverse current  
IR  
1
VR = 20 V; Tj = 75  
Diode capacitance  
Cd  
Cd  
f = 1 MHz; VR = 1 V  
1.5  
1.25  
1.20  
0.7  
1.2  
0.5  
0.9  
pF  
BA682  
Diode capacitance  
BA683  
f = 1 MHz; VR = 3 V  
pF  
BA682  
Diode forward resistance  
BA683  
rD  
rD  
IF = 3 mA; f = 200 MHz;  
IF = 10 mA; f = 200 MHz;  
BA682  
Diode forward resistance  
BA683  
1
www.kexin.com.cn  
1

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BA682_10 VISHAY Band Switching Diodes

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