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B2297-03

更新时间: 2024-01-20 07:17:49
品牌 Logo 应用领域
HAMAMATSU 半导体
页数 文件大小 规格书
2页 841K
描述
Photo Diode

B2297-03 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.92
最大暗电源:300 nAJESD-609代码:e0
安装特点:THROUGH HOLE MOUNT最高工作温度:60 °C
最低工作温度:-30 °C最长响应时间:5e-10 s
最大反向电压:20 V半导体材料:Germanium
子类别:Photo Diodes表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches:1

B2297-03 数据手册

 浏览型号B2297-03的Datasheet PDF文件第2页 

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