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ATP103-TL-H

更新时间： 2023-09-03 20:36:51

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安森美 - ONSEMI		/
页数	文件大小	规格书
7页	338K
描述
P 沟道，功率 MOSFET，-30V，-55A，13mΩ

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ATP103-TL-H 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.33
Base Number Matches：	1

ATP103-TL-H 数据手册

ATP103

-- V

D GS

--55

--50

--45

--40

--35

--30

--25

--20

--15

--10

--70

--60

--50

--40

--30

--20

= --10V

Tc=25°C

Single pulse

= --3.5V

--10

--5

--0.2 --0.4 --0.6 --0.8 --1.0 --1.2 --1.4 --1.6 --1.8 --2.0

IT15228

--0.5 --1.0 --1.5 --2.0 --2.5 --3.0 --3.5 --4.0 --4.5 --5.0

IT15229

Drain-to-Source Voltage, V

-- V

Gate-to-Source Voltage, V -- V

(on) -- V

(on) -- Tc

Single pulse

Tc=25°C

Single pulse

= --14A

--28A

--50

--25

100

125

150

--1 --2 --3 --4 --5 --6 --7 --8 --9 --10 --11 --12 --13 --14 --15 --16

Gate-to-Source Voltage, V

-- V

IT15230

Case Temperature, Tc -- °C

IT15231

| yfs | -- I

-- V

=0V

= --10V

Single pulse

--100

Single pulse

--10

--1.0

--0.1

--0.01

1.0

--0.001

--0.2

--0.4

--0.6

--0.8

--1.0

--1.2

--1.4

--0.1

--1.0

--10

--100

Diode Forward Voltage, V

-- V

Drain Current, I -- A

IT15232

IT15233

SW Time -- I

Ciss, Coss, Crss -- V

= --15V

= --10V

f=1MHz

1000

100

t (on)

100

--5

--10

--15

--20

--25

--30

IT15235

--0.1

--1.0

--10

--100

Drain Current, I -- A

IT15234

Drain-to-Source Voltage, V -- V

No. A1623-3/7

1 234 5 6 7

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