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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | HVSON, SOLCC8,.25 | Reach Compliance Code： | compliant |
| Factory Lead Time： | 10 weeks | 风险等级： | 3.95 |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 85 MHz | 数据保留时间-最小值： | 20 |
| 耐久性： | 100000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码： | R-PDSO-N8 |
| JESD-609代码： | e4 | 长度： | 6 mm |
| 内存密度： | 8388608 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 1 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 字数： | 8388608 words | 字数代码： | 8000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 8MX1 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | HVSON |
| 封装等效代码： | SOLCC8,.25 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE | 并行/串行： | SERIAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 1.8/3.3 V |
| 编程电压： | 2.7 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 0.6 mm | 串行总线类型： | SPI |
| 最大待机电流： | 0.000001 A | 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.016 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 类型： | NOR TYPE | 宽度： | 5 mm |
| 写保护： | HARDWARE/SOFTWARE |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| AT45DB081E-MHN-B | ETC | 8-Mbit DataFlash (with Extra 256-Kbits), 1.65V Minimum SPI Serial Flash Memory |
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| AT45DB081E-MHN-T | DIALOG | 8-Mbit DataFlash (with Extra 256-kbits) 1.7 V Minimum SPI Serial Flash Memory |
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| AT45DB081E-MHN-Y | DIALOG | 8-Mbit DataFlash (with Extra 256-kbits) 1.7 V Minimum SPI Serial Flash Memory |
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| AT45DB081E-SHN2B-T | DIALOG | 8-Mbit DataFlash (with Extra 256-kbits) 1.7 V Minimum SPI Serial Flash Memory |
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| AT45DB081E-SHN-B | DIALOG | 8-Mbit DataFlash (with Extra 256-kbits) 1.7 V Minimum SPI Serial Flash Memory |
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| AT45DB081E-SHNHA-T | DIALOG | 8-Mbit DataFlash (with Extra 256-kbits) 1.7 V Minimum SPI Serial Flash Memory |
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