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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SOP, SOP8,.25 | Reach Compliance Code： | compliant |
| Factory Lead Time： | 13 weeks | 风险等级： | 1.71 |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 85 MHz | 数据保留时间-最小值： | 20 |
| 耐久性： | 100000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e4 | 长度： | 4.925 mm |
| 内存密度： | 8388608 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 1 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 字数： | 8388608 words |
| 字数代码： | 8000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 8MX1 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP | 封装等效代码： | SOP8,.25 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | SERIAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 1.8/3.3 V | 编程电压： | 2.7 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.75 mm |
| 串行总线类型： | SPI | 最大待机电流： | 0.000001 A |
| 子类别： | Flash Memories | 最大压摆率： | 0.016 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | NICKEL PALLADIUM GOLD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 类型： | NOR TYPE |
| 宽度： | 3.9 mm | 写保护： | HARDWARE/SOFTWARE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| AT45DB081E-SSHN-B | DIALOG | 8-Mbit DataFlash (with Extra 256-kbits) 1.7 V Minimum SPI Serial Flash Memory |
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| AT45DB081E-SSHNHA-T | DIALOG | 8-Mbit DataFlash (with Extra 256-kbits) 1.7 V Minimum SPI Serial Flash Memory |
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| AT45DB081E-SSHNHC-T | DIALOG | 8-Mbit DataFlash (with Extra 256-kbits) 1.7 V Minimum SPI Serial Flash Memory |
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| AT45DB081E-SSHN-T | DIALOG | 8-Mbit DataFlash (with Extra 256-kbits) 1.7 V Minimum SPI Serial Flash Memory |
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| AT45DB081E-SSHN-Y | ETC | 8-Mbit DataFlash (with Extra 256-Kbits), 1.65V Minimum SPI Serial Flash Memory |
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| AT45DB081E-UUN2B-T | DIALOG | 8-Mbit DataFlash (with Extra 256-kbits) 1.7 V Minimum SPI Serial Flash Memory |
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