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AT38256-20XC

更新时间: 2024-01-04 03:26:07
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其他 - ETC 静态存储器
页数 文件大小 规格书
7页 442K
描述
x8 SRAM

AT38256-20XC 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SOIC-28Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.73Is Samacsys:N
最长访问时间:20 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-J28内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:28
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:32KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装等效代码:SOJ28,.34
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.0005 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.12 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

AT38256-20XC 数据手册

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