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AT29C512-12TU

更新时间： 2024-11-24 19:22:51
品牌 Logo 应用领域
爱特美尔 - ATMEL 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
18页 285K
描述
Flash, 64KX8, 120ns, PDSO32, 8 X 20 MM, PLASTIC, MO-142BD, TSOP1-32

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AT29C512-12TU 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP1包装说明：8 X 20 MM, PLASTIC, MO-142BD, TSOP1-32
针数：32Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.82最长访问时间：120 ns
其他特性：AUTOMATIC WRITE; HARDWARE & SOFTWARE DATA PROTECTIONJESD-30 代码：R-PDSO-G32
JESD-609代码：e3长度：18.4 mm
内存密度：524288 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：8湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：32
字数：65536 words字数代码：64000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：64KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP1封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260编程电压：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30类型：NOR TYPE
宽度：8 mm最长写入周期时间 (tWC)：10 ms
Base Number Matches：1

AT29C512-12TU 数据手册

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Features  
• Fast Read Access Time – 70 ns  
• 5-volt Only Reprogramming  
• Sector Program Operation  
– Single Cycle Reprogram (Erase and Program)  
– 512 Sectors (128 Bytes/Sector)  
– Internal Address and Data Latches for 128 Bytes  
• Internal Program Control and Timer  
• Hardware and Software Data Protection  
• Fast Sector Program Cycle Time – 10 ms  
• DATA Polling for End of Program Detection  
• Low Power Dissipation  
512K (64K x 8)  
5-volt Only  
Flash Memory  
– 50 mA Active Current  
– 100 µA CMOS Standby Current  
• Typical Endurance > 10,000 Cycles  
• Single 5V 10ꢀ Supply  
AT29C512  
• CMOS and TTL Compatible Inputs and Outputs  
• Commercial and Industrial Temperature Ranges  
• Green (Pb/Halide-free) Packaging Option  
1. Description  
The AT29C512 is a 5-volt only in-system Flash programmable and erasable read only  
memory (PEROM). Its 512K of memory is organized as 65,536 words by 8 bits. Man-  
ufactured with Atmel’s advanced nonvolatile CMOS technology, the device offers  
access times to 70 ns with power dissipation of just 275 mW over the commercial tem-  
perature range. When the device is deselected, the CMOS standby current is less  
than 100 µA. The device endurance is such that any sector can typically be written to  
in excess of 10,000 times.  
To allow for simple in-system reprogrammability, the AT29C512 does not require high  
input voltages for programming. Five-volt-only commands determine the operation of  
the device. Reading data out of the device is similar to reading from an EPROM.  
Reprogramming the AT29C512 is performed on a sector basis; 128 bytes of data are  
loaded into the device and then simultaneously programmed.  
During a reprogram cycle, the address locations and 128 bytes of data are internally  
latched, freeing the address and data bus for other operations. Following the initiation  
of a program cycle, the device will automatically erase the sector and then program  
the latched data using an internal control timer. The end of a program cycle can be  
detected by DATA polling of I/O7. Once the end of a program cycle has been  
detected, a new access for a read or program can begin.  
0456H–FLASH–2/05  
1234567...18

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