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AT29C010-12DM/883

更新时间: 2024-12-01 20:23:19
品牌 Logo 应用领域
爱特美尔 - ATMEL ATM异步传输模式内存集成电路
页数 文件大小 规格书
16页 452K
描述
Flash, 128KX8, 120ns, CDIP32, 0.600 INCH, CERDIP-32

AT29C010-12DM/883 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP, DIP32,.6针数:32
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.64
Is Samacsys:N最长访问时间:120 ns
其他特性:BULK ERASE命令用户界面:NO
数据轮询:YESJESD-30 代码:R-GDIP-T32
JESD-609代码:e0长度:42.2 mm
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8功能数量:1
部门数/规模:1K端子数量:32
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:128KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码:DIP封装等效代码:DIP32,.6
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V编程电压:5 V
认证状态:Not Qualified筛选级别:38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度:5.72 mm部门规模:128
最大待机电流:0.0003 A子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.05 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
切换位:YES类型:NOR TYPE
宽度:15.24 mmBase Number Matches:1

AT29C010-12DM/883 数据手册

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