是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | DIP, |
针数: | 28 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.26 | 最长访问时间: | 250 ns |
其他特性: | 10K OR 100K ENDURANCE CYCLES; 10 YEARS DATA RETENTION; SELF-TIMED BYTE WRITE CYCLE | 数据保留时间-最小值: | 10 |
耐久性: | 10000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码: | R-PDIP-T28 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 36.95 mm |
内存密度: | 65536 bit | 内存集成电路类型: | EEPROM |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 1 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 8192 words | 字数代码: | 8000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 8KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 245 | 编程电压: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 5.59 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 15.24 mm |
最长写入周期时间 (tWC): | 1 ms | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AT28C64-25PL | ATMEL |
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EEPROM, 8KX8, 250ns, Parallel, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, MS-011AB, DIP-28 | |
AT28C64-25SC | ATMEL |
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64K 8K x 8 CMOS E2PROM | |
AT28C64-25SCT/R | ATMEL |
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EEPROM, 8KX8, 250ns, Parallel, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOIC-28 | |
AT28C64-25SI | ATMEL |
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64K 8K x 8 CMOS E2PROM | |
AT28C64-25SIT/R | ATMEL |
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EEPROM, 8KX8, 250ns, Parallel, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOIC-28 | |
AT28C64-25SJ | ATMEL |
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EEPROM, 8KX8, 250ns, Parallel, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOIC-28 | |
AT28C64-25SJT/R | ATMEL |
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EEPROM, 8KX8, 250ns, Parallel, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOIC-28 | |
AT28C64-25SL | ATMEL |
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EEPROM, 8KX8, 250ns, Parallel, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOIC-28 | |
AT28C64-25SLT/R | ATMEL |
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EEPROM, 8KX8, 250ns, Parallel, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOIC-28 | |
AT28C64-25TC | ATMEL |
获取价格 |
64K 8K x 8 CMOS E2PROM |