是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, DIP28,.6 | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.46 |
最长访问时间: | 250 ns | 其他特性: | AUTOMATIC WRITE |
命令用户界面: | NO | 数据轮询: | YES |
数据保留时间-最小值: | 10 | 耐久性: | 100000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码: | R-GDIP-T28 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 37.215 mm | 内存密度: | 262144 bit |
内存集成电路类型: | EEPROM | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 1 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 32KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP28,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 页面大小: | 64 words |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 编程电压: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | MIL-STD-883 Class B |
座面最大高度: | 5.72 mm | 最大待机电流: | 0.0003 A |
子类别: | EEPROMs | 最大压摆率: | 0.05 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 切换位: | YES |
宽度: | 15.24 mm | 最长写入周期时间 (tWC): | 10 ms |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AT28C256E-25FC | ETC |
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x8 EEPROM | |
AT28C256E-25FI | ETC |
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x8 EEPROM | |
AT28C256E-25FM | ETC |
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x8 EEPROM | |
AT28C256E-25FM/883 | ATMEL |
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256K 32K x 8 Paged CMOS E2PROM | |
AT28C256E-25JC | ATMEL |
获取价格 |
256K 32K x 8 Paged CMOS E2PROM | |
AT28C256E-25JCT/R | ATMEL |
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EEPROM, 32KX8, 250ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
AT28C256E-25JI | ATMEL |
获取价格 |
256K 32K x 8 Paged CMOS E2PROM | |
AT28C256E-25JIT/R | ATMEL |
获取价格 |
EEPROM, 32KX8, 250ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
AT28C256E-25JJ | ATMEL |
获取价格 |
EEPROM, 32KX8, 250ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, MS-016AE, LCC-32 | |
AT28C256E-25JJT/R | ATMEL |
获取价格 |
EEPROM, 32KX8, 250ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |