是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SOIC |
包装说明: | SOP, SOP28,.5 | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.71 | 风险等级: | 5.2 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 200 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-G28 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 18.25 mm |
内存密度: | 524288 bit | 内存集成电路类型: | OTP ROM |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 2 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 65536 words | 字数代码: | 64000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 64KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOP | 封装等效代码: | SOP28,.5 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
电源: | 3.3/5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 2.79 mm | 最大待机电流: | 0.00002 A |
子类别: | OTP ROMs | 最大压摆率: | 0.025 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 8.74 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AT27LV512R-20RIT/R | ATMEL |
获取价格 |
OTP ROM, 64KX8, 200ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, PLASTIC, SOIC-28 | |
AT27LV512R-20TC | ATMEL |
获取价格 |
OTP ROM, 64KX8, 200ns, CMOS, PDSO28, PLASTIC, TSOP-28 | |
AT27LV512R-20TCT/R | ATMEL |
获取价格 |
OTP ROM, 64KX8, 200ns, CMOS, PDSO28, PLASTIC, TSOP-28 | |
AT27LV512R-20TI | ATMEL |
获取价格 |
OTP ROM, 64KX8, 200ns, CMOS, PDSO28, PLASTIC, TSOP-28 | |
AT27LV512R-20TIT/R | ATMEL |
获取价格 |
OTP ROM, 64KX8, 200ns, CMOS, PDSO28, PLASTIC, TSOP-28 | |
AT27LV512R-25DC | ATMEL |
获取价格 |
UVPROM, 64KX8, 250ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, WINDOWED, CERDIP-28 | |
AT27LV512R-25DI | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM | |
AT27LV512R-25JC | ATMEL |
获取价格 |
OTP ROM, 64KX8, 250ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
AT27LV512R-25JCT/R | ATMEL |
获取价格 |
OTP ROM, 64KX8, 250ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
AT27LV512R-25JI | ATMEL |
获取价格 |
OTP ROM, 64KX8, 250ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |