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AT25DF081A-SSH-T

更新时间： 2025-08-08 19:11:15
品牌 Logo 应用领域
DIALOG 时钟存储
页数 文件大小 规格书
53页 1193K
描述
存储容量(Mbit):8Mb ;内存数据长度(bit):256 Bytes ;最小工作电压(V):2.7 V;最大工作电压(V):3.6 V;最大时钟频率(MHz):100MHz;最小工作温度(℃):-40°C;最大工作温度(℃):85°C (TC);接口类型:SPI;元器件封装:8-SOIC;

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AT25DF081A-SSH-T 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SOIC包装说明：SOP, SOP8,.25
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：3.74Samacsys Description：Flash Memory 8M, 2.7-3.6V, 100Mhz Serial Flash, JEDEC SOIC - PACKAGE 8S1
最大时钟频率 (fCLK)：100 MHz数据保留时间-最小值：20
耐久性：100000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e4长度：4.925 mm
内存密度：8388608 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：1湿度敏感等级：1
功能数量：1端子数量：8
字数：8388608 words字数代码：8000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：8MX1
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP8,.25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：3/3.3 V
编程电压：2.7 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.75 mm串行总线类型：SPI
最大待机电流：0.00001 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.02 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
类型：NOR TYPE宽度：3.9 mm
写保护：HARDWARE/SOFTWARE

AT25DF081A-SSH-T 数据手册

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Features  
• Single 2.7V - 3.6V Supply  
• Serial Peripheral Interface (SPI) Compatible  
– Supports SPI Modes 0 and 3  
– Supports RapidS™ Operation  
– Supports Dual-Input Program and Dual-Output Read  
• Very High Operating Frequencies  
– 100MHz for RapidS  
– 85MHz for SPI  
8-Mbit  
– Clock-to-Output (tV) of 5ns Maximum  
• Flexible, Optimized Erase Architecture for Code + Data Storage Applications  
– Uniform 4-Kbyte Block Erase  
2.7V Minimum  
SPI Serial Flash  
Memory  
– Uniform 32-Kbyte Block Erase  
– Uniform 64-Kbyte Block Erase  
– Full Chip Erase  
• Individual Sector Protection with Global Protect/Unprotect Feature  
– 16 Sectors of 64-Kbytes Each  
AT25DF081A  
• Hardware Controlled Locking of Protected Sectors via WP Pin  
• Sector Lockdown  
– Make Any Combination of 64-Kbyte Sectors Permanently Read-Only  
• 128-Byte Programmable OTP Security Register  
• Flexible Programming  
– Byte/Page Program (1- to 256-Bytes)  
• Fast Program and Erase Times  
– 1.0ms Typical Page Program (256 Bytes) Time  
– 50ms Typical 4-Kbyte Block Erase Time  
– 250ms Typical 32-Kbyte Block Erase Time  
– 400ms Typical 64-Kbyte Block Erase Time  
• Automatic Checking and Reporting of Erase/Program Failures  
• Software Controlled Reset  
• JEDEC Standard Manufacturer and Device ID Read Methodology  
• Low Power Dissipation  
– 5mA Active Read Current (Typical at 20MHz)  
– 5µA Deep Power-Down Current (Typical)  
• Endurance: 100,000 Program/Erase Cycles  
• Data Retention: 20 Years  
• Complies with Full Industrial Temperature Range  
• Industry Standard Green (Pb/Halide-free/RoHS Compliant) Package Options  
– 8-lead SOIC (150-mil and 208-mil wide)  
– 8-pad Ultra Thin DFN (5 x 6 x 0.6mm)  
8715E–SFLSH–11/2017  
1234567...53

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