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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SOIC-8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | Factory Lead Time： | 6 weeks |
| 风险等级： | 1.74 | Is Samacsys： | N |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 1 MHz | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e4 | 长度： | 4.925 mm |
| 内存密度： | 32768 bit | 内存集成电路类型： | EEPROM |
| 内存宽度： | 8 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 字数： | 4096 words | 字数代码： | 4000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 4KX8 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | SERIAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 座面最大高度： | 1.75 mm | 串行总线类型： | I2C |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 宽度： | 3.9 mm | 最长写入周期时间 (tWC)： | 5 ms |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| AT24C32D-SSHM-B | MICROCHIP |
类似代替  |
IC EEPROM 32KBIT 1MHZ 8SOIC |
|
| AT24C32E-SSHM-T | MICROCHIP |
类似代替 |
IC EEPROM 32KBIT 1MHZ 8SOIC |
|
| AT24C32D-SSHM-B | ATMEL |
功能相似 |
electrically erasable and programmable read only memory |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AT24C32D-SSHM-T-899 | MICROCHIP |
获取价格 |
EEPROM, 4KX8, Serial, CMOS, PDSO8 |
|
| AT24C32D-STUM-T | ATMEL |
获取价格 |
electrically erasable and programmable read only memory |
|
| AT24C32D-STUM-T | MICROCHIP |
获取价格 |
IC EEPROM 32KBIT 1MHZ SOT23-5 |
|
| AT24C32D-XHM-B | ATMEL |
获取价格 |
electrically erasable and programmable read only memory |
|
| AT24C32D-XHM-B | MICROCHIP |
获取价格 |
IC EEPROM 32KBIT 1MHZ 8TSSOP |
|
| AT24C32D-XHM-T | ATMEL |
获取价格 |
electrically erasable and programmable read only memory |
|
| AT24C32D-XHM-T | MICROCHIP |
获取价格 |
IC EEPROM 32KBIT 1MHZ 8TSSOP |
|
| AT24C32E | MICROCHIP |
获取价格 |
The Microchip AT24C32E is a 32 Kb Serial EEPROM utilizing an I2C (2-wire) serial interface |
|
| AT24C32E-CUM-T | MICROCHIP |
获取价格 |
AT24C32E-CUM-T |
|
| AT24C32E-MAHM-E | MICROCHIP |
获取价格 |
AT24C32E-MAHM-E |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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