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ASI1N415E

更新时间： 2022-11-27 00:34:42

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ASI		二极管
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描述
SILICON MIXER DIODE

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ASI1N415E 数据手册

1N415E

SILICON MIXER DIODE

PACKAGE STYLE DO- 23

DESCRIPTION:

The ASI 1N415E is a Silicon Mixer

Diode Designed for Applications

Operating From 8.0 to 12.4 GHz.

FEATURES:

• High burnout resistance

• Low noise figure

• Hermetically sealed package

MAXIMUM RATINGS

I_F

V_R

20 mA

1.0 V

P_DISS

T_J

2.0 ^(ERGS)@ T_C= 25 °C

-55 °C to +150 °C

T_STG

NONE

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 °C

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIM

UNITS

F = 9375 MHz

R_L= 100 Ω

P_lo= 1.0 mW

I_F= 30 MHz

N_Fif= 1.5 dB

f = 1000 Hz

7.5

V_SWR

Z_IF

1.3

R_L= 22 Ω

335

8.0

465

Ω

frange

12.4

GHz

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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