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AS8SLC512K32Q1-10L/XT

更新时间: 2024-11-19 06:37:59
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AUSTIN 存储静态存储器
页数 文件大小 规格书
12页 232K
描述
512K x 32 SRAM SRAM Memory Array MCM

AS8SLC512K32Q1-10L/XT 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:QFP
包装说明:QFP, QFP68,.99SQ,50针数:68
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.54
最长访问时间:10 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:S-CQFP-G68JESD-609代码:e0
长度:22.352 mm内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:SRAM MODULE内存宽度:32
功能数量:1端子数量:68
字数:524288 words字数代码:512000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:512KX32
输出特性:3-STATE封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:QFP封装等效代码:QFP68,.99SQ,50
封装形状:SQUARE封装形式:FLATPACK
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:4.9784 mm最大待机电流:0.05 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.28 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:QUAD处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:22.352 mmBase Number Matches:1

AS8SLC512K32Q1-10L/XT 数据手册

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SRAM  
AS8SLC512K32  
Austin Semiconductor, Inc.  
512K x 32 SRAM  
SRAM Memory Array MCM  
PIN ASSIGNMENT  
(TopView)  
68 Lead CQFP (Q & Q1)  
FEATURES  
Fast access times: 10, 12, 15, 17 and 20ns  
Fast OE\ access times: 6ns  
Ultra-low operating power < 1W worst case  
Single +3.3V 0.3V power supply  
Fully static -- no clock or timing strobes necessary  
All inputs and outputs are TTL-compatible  
Easy memory expansion with CE\ and OE\ options  
Automatic CE\ power down  
9
8
7
6
5
4
3
2
1
68 67 66 65 64 63 62 61  
60  
10  
I/O 16  
I/O 17  
I/O 18  
I/O 19  
I/O 20  
I/O 21  
I/O 22  
I/O 23  
GND  
I/O 0  
I/O 1  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
25  
26  
59  
58  
57  
56  
55  
54  
53  
52  
51  
50  
49  
48  
47  
46  
45  
44  
I/O 2  
I/O 3  
I/O 4  
I/O 5  
I/O 6  
I/O 7  
GND  
I/O 8  
I/O 24  
I/O 25  
I/O 26  
I/O 27  
I/O 28  
I/O 29  
I/O 30  
I/O 31  
I/O 9  
I/O 10  
I/O 11  
I/O 12  
I/O 13  
I/O 14  
I/O 15  
High-performance, low-power consumption, CMOS  
27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43  
OPTIONS  
MARKINGS  
Timing  
10ns  
12ns  
15ns  
17ns  
20ns  
66 Lead PGA (P)  
-10  
-12  
-15  
-17  
-20  
C S  
C S  
Package  
Ceramic Quad Flatpack  
Ceramic Quad Flatpak(.054min SO) Q1  
Pin Grid Array  
\
Q
No. 702  
No.904  
P
C S  
Operating Temperature Ranges  
Military (-55oC to +125oC)  
Industrial (-40oC to +85oC)  
C S  
XT  
IT  
2V data retention/low power  
L
GENERAL DESCRIPTION  
M4  
M3  
The Austin Semiconductor, Inc. AS8SLC512K32 is a 3.3V  
16 Megabit CMOS SRAM Module organized as 512Kx32 bits. The  
AS8SLC512K32 achieves very high speed access, low power  
consumption and high reliability by employing advanced CMOS  
memory technology.  
This military temperature grade product is ideally suited for  
commercial, industrial, and military applications when asynchronous high  
speed switching and low ACTIVE opening power & ultra Fast Asyn-  
chronous Access is mandated.  
M2  
M1  
For more products and information  
please visit our web site at  
www.austinsemiconductor.com  
BLOCK DIAGRAM  
Austin Semiconductor, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.  
AS8SLC512K32  
Rev. 2.5 5/09  
1

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