AS7C4096A-15TCN

更新时间： 2024-01-04 15:31:12

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ALSC		存储内存集成电路静态存储器光电二极管 ISM频段
页数	文件大小	规格书
10页	325K
描述
5.0V 512K x 8 CMOS SRAM

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AS7C4096A-15TCN 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2,	针数：	44
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	8 weeks
风险等级：	5.81	最长访问时间：	15 ns
JESD-30 代码：	R-PDSO-G44	JESD-609代码：	e3/e6
长度：	18.415 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	44
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	512KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
座面最大高度：	1.2 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	PURE MATTE TIN/TIN BISMUTH
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
宽度：	10.16 mm

AS7C4096A-15TCN 数据手册

AS7C4096A

Recommended operating condition

Parameter

Symbol

Min

4.5

2.2

–0.5

Nominal

Max

Unit

Supply voltage

(10/12/15/20)

5.0

–

5.5

+ 0.5

Input voltage

–

0.8

commercial

industrial

–

°C

Ambient operating

temperature

–40

–

V_IHmax = V_CC+ 1.5V for pulse width less than 5 nS.

V_ILmin = –1.0V for pulse width less than 5 nS.

DC operating characteristics (over the operating range)¹

–10

–12

–15

–20

Parameter

Symbol

Test conditions

= Max, V = GND to V

Min Max Min Max Min Max Min Max Unit Notes

Input leakage

current

|I |

–

µA

Output leakage

current

= Max, CE = V

= GND to V

OUT

Operating power

supply current

= Max, CE < V

–

160

–

140

–

120

–

100 mA

40 mA

f = f , I

= 0mA

Max OUT

= Max, CE > V

f = f , I

= 0mA

Max OUT

Standby power

supply current

= Max,

CE ≥ V – 0.2V,

≤ 0.2V or V ≥ V – 0.2V,

–

10 mA

SB1

f = 0

–

0.4

0.5

–

0.4

0.5

–

0.4

0.5

–

0.4

= 6 mA, V = Min

Output voltage

0.5

= 8 mA, V = Min

2.4

–

= –4 mA, V = Min

Capacitance (f = 1MHz, T = 25° C, V = NOMINAL)⁴

Parameter

Input capacitance

I/O capacitance

Symbol

Signals

Test conditions

= 0V

Max

Unit

A, CE, WE, OE

I/O

= V = 0V

OUT

I/O

5/27/05, v. 1.1

Alliance Semiconductor

P. 3 of 10

1 234 5 6 7...10

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