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Datasheet > 存储 > SRAM> AS7C4096A-10TI
AS7C4096A-10TI PDF预览

AS7C4096A-10TI

更新时间： 2024-01-02 06:44:19
品牌 Logo 应用领域
ALSC 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 325K
描述
5.0V 512K x 8 CMOS SRAM

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AS7C4096A-10TI 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TSOP2
包装说明：TSOP2, TSOP44,.46,32针数：44
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.47
最长访问时间：10 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-G44JESD-609代码：e3/e6
长度：18.415 mm内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：44
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：512KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装等效代码：TSOP44,.46,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大待机电流：0.01 A
最小待机电流：4.5 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.16 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：MATTE TIN/TIN BISMUTH
端子形式：GULL WING端子节距：0.8 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

AS7C4096A-10TI 数据手册

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AS7C4096A  
®
Read cycle (over the operating range)2,8  
–10  
–12  
–15  
–20  
Parameter  
Read cycle time  
Symbol Min  
Max  
Min  
Max  
Min  
Max  
Min  
Max Unit Notes  
t
t
10  
–
–
–
3
3
–
0
–
0
–
–
12  
–
15  
–
20  
–
20  
20  
6
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
RC  
10  
10  
5
–
–
–
3
3
–
0
–
0
–
12  
12  
6
–
–
–
3
3
–
0
–
0
–
15  
15  
6
–
–
–
3
3
–
0
–
0
–
2
2
Address access time  
AA  
t
Chip enable (CE) access time  
Output enable (OE) access time  
Output hold from address change  
CE Low to output in low Z  
CE High to output in high Z  
OE Low to output in low Z  
OE High to output in high Z  
Power up time  
ACE  
t
OE  
t
–
–
–
–
4
OH  
t
–
–
–
–
3,4  
3,4  
3,4  
3,4  
3,4  
3,4  
CLZ  
t
5
6
7
9
CHZ  
t
–
–
–
–
OLZ  
OHZ  
t
5
6
7
9
t
–
–
–
–
PU  
t
10  
12  
15  
20  
Power down time  
PD  
Key to switching waveforms  
Rising input  
Falling input  
Undefined/don’t care  
Read waveform 1 (address controlled)2,5,6,8  
tRC  
Address  
tAA  
tOH  
DOUT  
Data valid  
Read waveform 2 (CE, OE controlled)2,5,7,8  
tRC1  
CE  
tOE  
OE  
tOLZ  
tOHZ  
tCHZ  
tACE  
DOUT  
Data valid  
tCLZ  
tPD  
50%  
ICC  
ISB  
tPU  
Supply  
current  
50%  
5/27/05, v. 1.1  
Alliance Semiconductor  
P. 4 of 10  
1234567...10

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