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AS7C4096-5JC

更新时间： 2022-12-13 00:46:07

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ALSC		静态存储器
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9页	247K
描述
5V/3.3V 512K X8 CMOS SRAM

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AS7C4096-5JC 数据手册

AS7C4096

AS7C34096

Write cycle (over the operating range)¹¹

–10

–12

–15

–20

Parameter

Write cycle time

Symbol Min

Max

–

Min

Max

–

Min

Max

–

Min

Max Unit Notes

–

Chip enable (CE) to write end

Address setup to write end

Address setup time

–

Write pulse width (OE = high)

Write pulse width (OE = low

Address hold from end of write

Write recovery time

–

WP1

WP2

–

Data valid to write end

–

Data hold time

–

4, 5

Write enable to output in high Z

Output active from write end

–

Write waveform 1 (WE controlled)^10,11

t_WC

t_AW

t_WR

t_AH

Address

t_WP

t_AS

t_DW

Data valid

t_DH

D_IN

t_WZ

t_OW

D_OUT

Write waveform 2 (CE controlled)^10,11

t_WC

t_WR

t_AH

t_AW

Address

t_AS

t_CW

t_WP

t_WZ

t_DW

t_DH

D_IN

Data valid

D_OUT

1/13/05; v.1.9

Alliance Semiconductor

P. 5 of 9

1 2 3 456 7 8 9

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