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AS7C4096A-10TCN

更新时间: 2024-02-19 03:01:04
品牌 Logo 应用领域
ALSC 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 325K
描述
5.0V 512K x 8 CMOS SRAM

AS7C4096A-10TCN 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2, TSOP44,.46,32针数:44
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.47
最长访问时间:10 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G44JESD-609代码:e3/e6
长度:18.415 mm内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:44
字数:524288 words字数代码:512000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:512KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装等效代码:TSOP44,.46,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):260
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm最大待机电流:0.01 A
最小待机电流:4.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.16 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:MATTE TIN/TIN BISMUTH
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

AS7C4096A-10TCN 数据手册

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May 2005  
Preliminary  
AS7C4096A  
®
5.0V 512K × 8 CMOS SRAM  
• Equal access and cycle times  
Features  
• Easy memory expansion with CE  
• TTL-compatible, three-state I/O  
• JEDEC standard packages  
- 400 mil 36-pin SOJ  
- 44-pin TSOP 2  
• ESD protection 2000 volts  
• Latch-up current 200 mA  
, OE inputs  
• Pin compatible to AS7C4096  
• Industrial and commercial temperature  
• Organization: 524,288 words × 8 bits  
• Center power and ground pins  
• High speed  
- 10/12/15/20 ns address access time  
- 5/6 ns output enable access time  
• Low power consumption: ACTIVE  
- 880mW/max @ 10 ns  
• Low power consumption: STANDBY  
- 55mW/max CMOS  
Logic block diagram  
Pin arrangements  
36-pin SOJ (400 mil)  
44-pin TSOP 2  
VCC  
NC  
NC  
A0  
A1  
A2  
A3  
A4  
CE  
NC  
NC  
NC  
A18  
1
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
A0  
A1  
A2  
A3  
A4  
CE  
1
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
NC  
2
GND  
2
A18  
A17  
3
3
4
Input buffer  
4
A16  
A15  
OE  
A17  
A16  
A15  
OE  
5
5
6
6
7
A0  
A1  
A2  
I/O1  
I/O2  
7
I/O8  
I/O7  
GND  
VCC  
8
8
I/O1  
I/O2  
VCC  
I/O8  
I/O7  
9
I/O1  
I/O8  
VCC  
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
GND  
I/O3  
I/O4  
WE  
A5  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
524,288 × 8  
A3  
GND  
I/O6  
I/O5  
A14  
A13  
A12  
A11  
A10  
NC  
VCC  
GND  
I/O3  
I/O4  
WE  
A5  
A4  
Array  
(4,194,304)  
I/O6  
I/O5  
A14  
A13  
A12  
A11  
A10  
NC  
A5  
A6  
A7  
A8  
A9  
A6  
A7  
A6  
A8  
A7  
A9  
A8  
A9  
NC  
NC  
NC  
NC  
Column decoder  
WE  
OE  
CE  
Control  
Circuit  
Selection guide  
–10  
–12  
12  
–15  
–20  
Unit  
ns  
Maximum address access time  
Maximum outputenable access time  
Maximum operating current  
10  
5
15  
6
20  
6
6
ns  
160  
10  
140  
10  
120  
10  
100  
10  
mA  
mA  
Maximum CMOS standby current  
5/27/05, v. 1.1  
Alliance Semiconductor  
P. 1 of 10  
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