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AS7C34096-15TIN

更新时间： 2024-02-23 05:29:08

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ALSC		存储静态存储器
页数	文件大小	规格书
9页	247K
描述
5V/3.3V 512K X8 CMOS SRAM

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AS7C34096-15TIN 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSOP44,.46,32
针数：	44	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.13	最长访问时间：	15 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G44
JESD-609代码：	e3	长度：	18.415 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	44	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	512KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSOP44,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	250	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大待机电流：	0.02 A	最小待机电流：	3 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.11 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

AS7C34096-15TIN 数据手册

AS7C4096

AS7C34096

Write cycle (over the operating range)¹¹

–10

–12

–15

–20

Parameter

Write cycle time

Symbol Min

Max

–

Min

Max

–

Min

Max

–

Min

Max Unit Notes

–

Chip enable (CE) to write end

Address setup to write end

Address setup time

–

Write pulse width (OE = high)

Write pulse width (OE = low

Address hold from end of write

Write recovery time

–

WP1

WP2

–

Data valid to write end

–

Data hold time

–

4, 5

Write enable to output in high Z

Output active from write end

–

Write waveform 1 (WE controlled)^10,11

t_WC

t_AW

t_WR

t_AH

Address

t_WP

t_AS

t_DW

Data valid

t_DH

D_IN

t_WZ

t_OW

D_OUT

Write waveform 2 (CE controlled)^10,11

t_WC

t_WR

t_AH

t_AW

Address

t_AS

t_CW

t_WP

t_WZ

t_DW

t_DH

D_IN

Data valid

D_OUT

1/13/05; v.1.9

Alliance Semiconductor

P. 5 of 9

1 2 3 456 7 8 9

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