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AS7C33256PFS36A-133BC

更新时间： 2024-02-10 06:07:17

品牌	Logo	应用领域
ALSC		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
14页	373K
描述
Standard SRAM, 256KX36, 10ns, CMOS, PBGA119, 14 X 20 MM, BGA-119

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AS7C33256PFS36A-133BC 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	BGA	包装说明：	LBGA, BGA119,7X17,50
针数：	119	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.63	最长访问时间：	10 ns
其他特性：	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PBGA-B119	JESD-609代码：	e0
长度：	22 mm	内存密度：	9437184 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	36
功能数量：	1	端子数量：	119
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	256KX36
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LBGA	封装等效代码：	BGA119,7X17,50
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	2.5/3.3,3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.7 mm	最大待机电流：	0.03 A
最小待机电流：	3.14 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.425 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	BALL	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

AS7C33256PFS36A-133BC 数据手册

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AS7C33256PFS32A

AS7C33256PFS36A

Ball assignment for 119-ball BGA

V_DDQ

ADSP

ADSC

V_DD

V_DDQ

CE1

DQ_C

V_DDQ

DQ_C

V_DDQ

DQd

V_DDQ

DQd

DQPc

DQc

V_DD

DQd

V_SS

BWc

V_SS

BWd

V_SS

LBO

V_SS

BWb

V_SS

BWa

V_SS

DQpb DQb

CE0

DQb

V_DD

DQa

DQPa

DQb

V_DDQ

DQb

V_DDQ

DQa

V_DDQ

DQa

ADV

GWE

V_DD

CLK

BWE

A1²

A0²

V_DD

DQd DQPd

V_DDQ

1 Note 2D, 2P, 6D and 6P are NC for x32

2 A0 and A1 are the two least significant bits (LSB) of the address field and set the internal burst counter

if burst is desired.

3/25/02; v.1.8

Alliance Semiconductor

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STM32F103C8T6 替代型号

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