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AS7C256A-12JI

更新时间： 2024-11-23 23:00:31

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ALSC		静态存储器
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9页	249K
描述
5V 32K X 8 CMOS SRAM (Common I/O)

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AS7C256A-12JI 数据手册

September 2004

AS7C256A

5V 32K X 8 CMOS SRAM (Common I/O)

Features

• TTL-compatible, three-state I/O

• 28-pin JEDEC standard packages

- 300 mil SOJ

• Pin compatible with AS7C256

• Industrial and commercial temperature options

• Organization: 32,768 words × 8 bits

• High speed

- 10/12/15/20 ns address access time

- 5, 6, 7, 8 ns output enable access time

• Very low power consumption: ACTIVE

- 412.5 mW max @ 10 ns

- 8 × 13.4 mm TSOP 1

• ESD protection ≥ 2000 volts

• Latch-up current ≥ 200 mA

• 2.0V Data retention

• Very low power consumption: STANDBY

- 11 mW max CMOS I/O

• Easy memory expansion with CE and OE inputs

Logic block diagram

Pin arrangement

28-pin TSOP 1 (8×13.4 mm)

28-pin SOJ (300 mil)

GND

Input buffer

A14

A12

A13

A11

A10

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

I/O3

GND

I/O2

I/O1

I/O0

I/O7

I/O0

A13

256 X 128 X 8

Array

A14

A12

AS7C256A

A10

(262,144)

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

I/O3

I/O0

I/O1

I/O2

GND

Column decoder

Control

circuit

A A A A A

10 11 12 13 14

Selection guide

-10

-12

-15

-20

Unit

Maximum address access time

Maximum output enable access time

Maximum operating current

Maximum CMOS standby current

9/24/04; v.1.2

Alliance Semiconductor

P. 1 of 9

12 3 4 5 6 7...9

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