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AS6UB51216-55BC

更新时间： 2024-01-19 20:50:16

品牌	Logo	应用领域
ALSC		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
11页	184K
描述
Standard SRAM, 512KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, 7 X 9 MM, CSP, FBGA-48

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技术参数
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AS6UB51216-55BC 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA,
针数：	48	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.92	最长访问时间：	55 ns
JESD-30 代码：	R-PBGA-B48	长度：	9 mm
内存密度：	8388608 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	端子数量：	48
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	512KX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	225
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.3 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	0.75 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	7 mm	Base Number Matches：	1

AS6UB51216-55BC 数据手册

AS6UB51216

ꢂꢃꢄꢃꢇꢃꢆ ꢁ

Read waveform 2 (CS, OE, UB, LB controlled)

Address

OLZ

OHZ

ACS

LB, UB

BHZ

BLZ

Data valid

OUT

ꢈꢈ

Write cycle (over the operating range)

–55

–70

Parameter

Symbol

Min

Max

–

Min

Max

–

Unit

Notes

Write cycle time

t_WC

t_CW

t_AW

t_AS

Chip enable to write end

Address setup to write end

Address setup time

–

Write pulse width

t_WP

t_AH

t_DW

t_DH

t_WZ

t_OW

t_BW

–

Address hold from end of write

Data valid to write end

Data hold time

–

4, 5

Write enable to output in high Z

Output active from write end

UB/LB low to end of write

–

ꢈꢉꢃꢈꢈ

Write waveform 1 (WE controlled)

Address

LB, UB

Data valid

Data undefined

OUT

High Z

10/30/01; V.0.9.2

Alliance Semiconductor

P. 5 of 11

1 2 3 456 7 8...11

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