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AS6UA5128-55HFC

更新时间： 2024-01-02 14:24:20

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ALSC		静态存储器
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11页	218K
描述
SRAM

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AS6UA5128-55HFC 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92

AS6UA5128-55HFC 数据手册

AS6UA5128

Recommended operating condition (over the operating range)

Parameter

Description

Test Conditions

Min

2.4

2.0

1.5

Max

Unit

I_OH= –2.1mA

_OH= –0.5mA

_OH= –0.1mA

I_OL= 2.1mA

_OL= 0.5mA

_OL= 0.1mA

V_CC= 2.7V

Output HIGH Voltage

V_CC= 2.3V

V_CC= 1.65V

V_CC= 2.7V

V_CC= 2.3V

V_CC= 1.65V

V_CC= 2.7V

0.4

Output LOW Voltage

Input HIGH Voltage

Input LOW Voltage

0.4

0.2

2.2

2.0

V_CC+ 0.5

_CC= 2.3V

_CC= 1.65V

V_CC= 2.7V

_CC= 2.3V

_CC= 1.65V

GND < V_IN< V_CC

V_CC+ 0.3

1.4

V_CC+ 0.3

–0.5

–0.3

–1

0.8

0.6

0.4

I_IX

Input Load Current

Output Load Current

µA

I_OZ

GND < V < V_CC; Outputs High Z

–1

V_CC= 3.6V

CS = V ,

V_CCOperating Supply

Current

I_CC

I_OUT= 0mA, f = 0,

_IN= V or V

_CC= 2.7V

_CC= 2.3V

V_CC= 3.6V

_CC= 2.7V

_CC= 2.3V

V_CC= 3.6V (55/ 70/ 100 ns)

µA

CS < 0.2V, V < 0.2V,

I_CC1

Average V_CCOperating

1 MHz Supply Current at 1 MHz

or V_IN> V_CC– 0.2V,

f = 1 mS

40/ 30/ 20

30/ 25/ 15

25/ 20/ 12

Average V_CCOperating CS ≠ V , V_IN= V or

I_CC2

_CC= 2.7V (55/ 70/ 100 ns)

Supply Current

V , f = f_Max

_CC= 2.3V (55/ 70/ 100 ns)

V_CC= 3.6V

V_CC= 2.7V

CS Power Down Current; CS > V , other inputs

I_SB

100

TTL Inputs

= 0V – V_CC

_CC= 2.3V

V_CC= 3.6V

_CC= 2.7V

_CC= 2.3V

CS > V_CC– 0.2V >

V_CC– 0.2V,

other inputs = 0V –

V_CC, f = f_Max

CS Power Down Current;

CMOS Inputs

I_SB1

µA

CS > V_CC– 0.1V,

V_CC– 0.1V, f = 0

I_SBDR

Data Retention

V_CC= 1.2V

Capacitance (f = 1 MHz, T = Room temperature, V = NOMINAL)

Signals

Parameter

Symbol

Test conditions

_IN= 0V

_IN= V_OUT= 0V

Max

Unit

Input capacitance

A, CS, WE, OE

I/ O

I/ O capacitance

I/ O

7/ 14/ 00

ALLIANCE SEMICONDUCTOR

1 234 5 6 7...11

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