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AS4LC1M16EC-7

更新时间: 2024-01-16 00:38:56
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MICROSS 动态存储器
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22页 195K
描述
DRAM

AS4LC1M16EC-7 数据手册

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AS4LC1M16 883C  
1 MEG x 16 DRAM  
AUSTIN SEMICONDUCTOR, INC.  
PRELIMINARY  
EDO-PAGE-MODE READ-WRITE CYCLE  
(LATE WRITE and READ-MODIFY-WRITE cycles)  
t
t
RP  
RASP  
V
V
IH  
IL  
RAS  
t
t
t
NOTE 1  
t
CSH  
PC  
PRWC  
t
RSH  
t
t
t
t
t
t
CP  
t
t
t
t
CRP  
RCD  
CP  
CP  
CAS, CLCH  
CAS, CLCH  
CAS, CLCH  
CASL/CASH  
V
V
IH  
IL  
t
AR  
t
t
t
RAD  
RAH  
RAL  
t
t
t
t
t
t
t
CAH  
ASR  
ASC  
CAH  
ASC  
CAH  
ASC  
V
V
IH  
IL  
ADDR  
ROW  
COLUMN  
COLUMN  
COLUMN  
ROW  
t
RWD  
t
RWL  
t
CWL  
t
RCS  
t
t
CWL  
CWL  
t
t
t
WP  
WP  
WP  
t
t
t
t
t
AWD  
AWD  
AWD  
CWD  
t
t
WRH  
t
WRP  
CWD  
CWD  
WE  
V
V
IH  
IL  
NOTE 2  
t
t
t
AA  
AA  
AA  
t
RAC  
t
t
t
DH  
DH  
DH  
t
t
CPA  
CPA  
t
t
t
DS  
DS  
DS  
t
t
t
t
t
t
CAC  
CLZ  
CAC  
CLZ  
CAC  
CLZ  
V
IOH  
IOL  
VALID VALID  
VALID VALID  
VALID VALID  
D D  
DQ  
OE  
OPEN  
OPEN  
V
D
D
D
D
OUT  
IN  
OUT  
IN  
OUT  
IN  
t
t
t
OD  
OD  
OD  
t
OEH  
t
t
t
OE  
OE  
OE  
V
V
IH  
IL  
DON’T CARE  
UNDEFINED  
t
NOTE:  
1. PC is for LATE WRITE cycles only.  
2. Although WE is a “don’t care” at RAS time during an access cycle (READ or WRITE), the system designer should implement  
WE HIGH for tWRP and tWRH. This design implementation will facilitate compatibility with future EDO DRAMs.  
TIMING PARAMETERS  
-6  
-7  
-8  
-6  
-7  
-8  
SYM MIN  
tAA  
MAX  
MIN  
MAX  
MIN  
MAX  
UNITS  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
SYM MIN  
tOE  
tOEH  
tPC  
tPRWC 75  
tRAC  
MAX  
MIN  
MAX  
MIN  
MAX  
UNITS  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
30  
35  
40  
15  
20  
20  
tAR  
45  
0
50  
0
60  
0
12  
25  
12  
30  
85  
15  
40  
90  
tASC  
tASR  
tAWD  
tCAC  
tCAH  
tCAS  
0
0
0
55  
60  
65  
60  
30  
70  
35  
80  
40  
15  
20  
20  
tRAD  
tRAH  
tRAL  
12  
10  
30  
12  
10  
35  
15  
10  
40  
10  
12  
15  
12 10,000  
13 10,000  
20 10,000  
tCLCH 10  
10  
0
10  
0
tRASP 60  
125,000  
45  
70 125,000  
80 100,000  
tCLZ  
tCP  
0
tRCD  
tRCS  
tRP  
tRSH  
tRWD  
tRWL  
tWP  
14  
0
14  
0
50  
20  
0
60  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
10  
10  
40  
5
10  
40  
5
tCPA  
tCRP  
tCSH  
tCWD  
tCWL  
tDH  
35  
15  
40  
13  
80  
15  
10  
10  
10  
50  
15  
90  
15  
12  
10  
10  
60  
15  
105  
20  
15  
10  
10  
5
50  
35  
15  
10  
0
55  
40  
15  
12  
0
60  
45  
20  
15  
0
tWRH  
tWRP  
tDS  
tOD  
0
0
15  
0
20  
AS4LC1M16  
REV. 3/97  
DS000020  
Austin Semiconductor, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.  
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