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AS4C4M4F0-50TC

更新时间： 2024-01-27 02:08:04

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ALSC		动态存储器
页数	文件大小	规格书
18页	271K
描述
5V 4M×4 CMOS DRAM (Fast Page mode)

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AS4C4M4F0-50TC 数据手册

AS4C4M4F0

AS4C4M4F1

Fast page mode early write waveform

t_RASP

t_RAH

t_RWL

RAS

t_CRP

t_RCD

t_PC

t_CAH

t_CSH

t_ASC

t_WCS

t_CAS

t_CP

t_RSH

CAS

t_RAL

t_AR

t_ASR

t_RAD

Address

Row

Column

t_CWL

t_WP

t_WCH

t_OEH

t_HDR

t_OED

t_DH

t_DS

I/O

Data In

Data in

CAS before RAS refresh waveform

WE = V_IH

t_RC

t_RP

t_RAS

RAS

t_RPC

t_CHR

t_CP

t_CSR

CAS

OPEN

RAS only refresh waveform

WE = OE = V_IHor V_IL

t_RC

t_RAS

t_RP

RAS

t_CRP

t_RPC

CAS

t_ASR

t_RAH

Address

Row address

4/11/01; v.0.9

Alliance Semiconductor

P. 12 of 18

1...9 10 111213 14 15...18

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