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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TSOP2 | 包装说明： | TSOP2, TSOP44/50,.46,32 |
| 针数： | 50 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.02 |
| 风险等级： | 5.78 | 访问模式： | FAST PAGE |
| 最长访问时间： | 60 ns | 其他特性： | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-G44 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 20.95 mm |
| 内存密度： | 16777216 bit | 内存集成电路类型： | FAST PAGE DRAM |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 44 |
| 字数： | 1048576 words | 字数代码： | 1000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 1MX16 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP2 | 封装等效代码： | TSOP44/50,.46,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 1024 |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 自我刷新： | NO |
| 最大待机电流： | 0.002 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.135 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 10.16 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| AS4C1M16F5-60TI | ETC | 5V 1M X 16 CMOS DRAM |
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| AS4C1M16S-6TIN | ALSC | 1M x 16 bit Synchronous DRAM (SDRAM) |
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| AS4C1M16S-7TCN | ALSC | 1M x 16 bit Synchronous DRAM (SDRAM) |
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| AS4C1M16S-CI | ALSC | Programmable Mode registers |
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| AS4C256K16E0 | ALSC | 5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO) |
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| AS4C256K16E0-30 | ALSC | 5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO) |
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