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AS2M040120N

更新时间： 2024-11-28 18:07:07

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安邦 - ANBON		/
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TO-263-7

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AS2M040120N 数据手册

AS2M040120N

N-Channel Silicon Carbide Power MOSFET

Product Summary

I_D@25℃

V_(BR)DSS

R_DS(on)MAX

1200V

52mΩ@18V

65A

Feature

Application



High Blocking Voltage With Low On-Resistance



Renewable Energy

High Speed Switching With Low Capacitance

Easy to Parallel and Simple to Drive

EV Battery Chargers

High Voltage DC/DC Converters

Switch Mode Power Supplies

Package

Marking

Circuit diagram

AS2M040120N

XXXXXX

TO-263-7

Absolute maximum ratings (T_c=25℃ unless otherwise noted)

Parameter

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Symbol

V_DSmax

V_GSmax

V_GSOP

I_D

Test Condition

V_GS= 0V, I_D=100µA

Value

1200

Unit

Absolute maximum values

Recommended operational values

V_GS=20V, T_C=25℃

-8/+22

-4/+18

Continuous Drain Current

V_GS=20V, T_C=100℃

T_C=25℃

I_D

Power Dissipation

P_D

375

Thermal Resistance（Typ）

℃/W

℃

R_θJC

T_J

Junction-to-Case

0.4

Junction Temperature

Storage Temperature

-55 ~ +175

T_STG

Document ID

AS-3270036

Issued Date

2013/03/08

Revised Date

2023/10/30

Revision

Page.

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