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AS29LV800B-90SC

更新时间： 2024-01-13 15:41:44

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ANADIGICS		闪存内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
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25页	440K
描述
3V 1M】8/512K】16 CMOS Flash EEPROM

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AS29LV800B-90SC 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP1	包装说明：	TSOP1, TSSOP48,.8,20
针数：	48	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	90 ns	备用内存宽度：	8
启动块：	BOTTOM	命令用户界面：	YES
数据轮询：	YES	耐久性：	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDSO-G48	JESD-609代码：	e0
长度：	18.4 mm	内存密度：	8388608 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
功能数量：	1	部门数/规模：	1,2,1,15
端子数量：	48	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	512KX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1	封装等效代码：	TSSOP48,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	240
电源：	3/3.3 V	编程电压：	3 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
座面最大高度：	1.2 mm	部门规模：	16K,8K,32K,64K
最大待机电流：	0.000005 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.1 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
宽度：	12 mm	Base Number Matches：	1

AS29LV800B-90SC 数据手册

AS29LV800

March 2001

Command format

1st bus cycle

2nd bus cycle

3rd bus cycle

4th bus cycle

Address

5th bus cycle

6th bus cycle

Required bus

write cycles

Command sequence

Reset/Read

Address

Data

Address

Data

Address

Data

Address

Data

Address

Data

Read

Address

XXXh

F0h

Read Data

×16

Reset/Read

×8

555h

AAAh

2AAh

555h

AAAh

Read

Data

AAh

55h

F0h

90h

Read Address

01h

Device code

22DAh (T)

225Bh (B)

×16

×8

555h

AAAh

2AAh

555h

AAAh

02h

Device code

DAh (T) 5Bh

(B)

×16

555h

AAAh

2AAh

555h

AAAh

0052h

52h

Autoselect

00h

MFR code

ID Read

×8

XXX02h

Sector protection

0001h = protected

0000h = unprotected

×16

×8

555h

AAAh

2AAh

555h

AAAh

XXX04h

Sector protection

0001h=protected

0000h=unprotected

×16

555h

AAAh

555

2AAh

555h

2AA

555h

AAAh

555

Program

×8

AAh

55h

A0h

20h

Program Address Program Data

×16

Unlock bypass

×8

AAA

555

AAA

Program

address

Program

data

Unlock bypass program

Unlock bypass reset

XXX

A0h

90h

XXX

00h

55h

×16

Chip Erase

555h

AAAh

555h

AAAh

XXXh

2AAh

555h

2AAh

555h

AAAh

555h

AAAh

555h

AAh

2AAh

555h

2AAh

555h

AAAh

AAh

80h

55h

10h

30h

×8

AAAh

×16

Sector Erase

×8

555h

AAh

AAAh

Sector

Address

55h

Sector Erase Suspend

Sector Erase Resume

B0h

30h

Bus operations defined in "Mode definitions," on page 3.

Reading from and programming to non-erasing sectors allowed in Erase Suspend mode.

Address bits A11-A18 = X = Don’t Care for all address commands except where Program Address and Sector Address are required.

Data bits DQ15-DQ8 are don’t care for unlock and command cycles.

The Unlock Bypass command must be initiated before the Unlock Bypass Program command.

The Unlock Bypass Reset command returns the device to reading array data when it is in the unlock bypass mode.

3/22/01; V.1.0

Alliance Semiconductor

P. 6 of 25

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