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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | TSOP1 | 包装说明： | TSOP1, TSSOP56,.8,20 |
| 针数： | 48 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | 3A001.A.2.C | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.2 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 70 ns | 其他特性： | BOTTOM BOOT BLOCK |
| 备用内存宽度： | 8 | 启动块： | BOTTOM |
| 命令用户界面： | YES | 通用闪存接口： | YES |
| 数据轮询： | YES | JESD-30 代码： | R-XDSO-G48 |
| 长度： | 18.4 mm | 内存密度： | 16777216 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH | 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 | 部门数/规模： | 1,2,1,31 |
| 端子数量： | 48 | 字数： | 1048576 words |
| 字数代码： | 1000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 1MX16 | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | TSOP1 | 封装等效代码： | TSSOP56,.8,20 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 3.3 V | 编程电压： | 3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 就绪/忙碌： | YES |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 部门规模： | 16K,8K,32K,64K |
| 最大待机电流： | 0.00001 A | 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.03 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.5 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 切换位： | YES |
| 类型： | NOR TYPE | 宽度： | 12 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| AS29LV016JTRG-55/ET | AUSTIN | 16 Megabit (2M x 8-Bit / 1M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-Only Boot Sector Flash Memory |
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| AS29LV016JTRG-55/IT | AUSTIN | 16 Megabit (2M x 8-Bit / 1M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-Only Boot Sector Flash Memory |
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| AS29LV016JTRG-55/XT | AUSTIN | 16 Megabit (2M x 8-Bit / 1M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-Only Boot Sector Flash Memory |
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| AS29LV016JTRG-70/ET | AUSTIN | 16 Megabit (2M x 8-Bit / 1M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-Only Boot Sector Flash Memory |
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| AS29LV016JTRG-70/IT | AUSTIN | 16 Megabit (2M x 8-Bit / 1M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-Only Boot Sector Flash Memory |
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| AS29LV016JTRG-70/XT | AUSTIN | 16 Megabit (2M x 8-Bit / 1M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-Only Boot Sector Flash Memory |
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