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AS29LV016JBRGR-70/XT

更新时间： 2024-02-01 22:27:13

品牌	Logo	应用领域
AUSTIN		闪存内存集成电路
页数	文件大小	规格书
40页	408K
描述
16 Megabit (2M x 8-Bit / 1M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-Only Boot Sector Flash Memory

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AS29LV016JBRGR-70/XT 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TSOP1	包装说明：	TSOP1, TSSOP56,.8,20
针数：	48	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.2	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	70 ns	其他特性：	BOTTOM BOOT BLOCK
备用内存宽度：	8	启动块：	BOTTOM
命令用户界面：	YES	通用闪存接口：	YES
数据轮询：	YES	JESD-30 代码：	R-XDSO-G48
长度：	18.4 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
功能数量：	1	部门数/规模：	1,2,1,31
端子数量：	48	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	1MX16	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	TSOP1	封装等效代码：	TSSOP56,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3.3 V	编程电压：	3 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
座面最大高度：	1.2 mm	部门规模：	16K,8K,32K,64K
最大待机电流：	0.00001 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.03 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	宽度：	12 mm
Base Number Matches：	1

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COTS PEM

BOOT SECTOR FLASH

Austin Semiconductor, Inc.

AS29LV016J

DOCUMENT TITLE

16 Megabit (2M x 8-Bit / 1M x 16-Bit), CMOS 3.0 Volt-Only Boot Sector Flash Memory

REVISION HISTORY

Rev #

History

Release Date

Status

0.0

Datasheet Creation

February 20009

Preliminary

Austin Semiconductor, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.

AS29LV016J

Rev. 0.0 02/09

1...37 38 3940

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