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AS29F400T-90TI

更新时间： 2024-01-30 08:51:30

品牌	Logo	应用领域
ALSC		光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
20页	444K
描述
Flash, 512KX8, 90ns, PDSO48, 12 X 20 MM, TSOP1-48

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技术参数
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AS29F400T-90TI 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP1	包装说明：	12 X 20 MM, TSOP1-48
针数：	48	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.92	最长访问时间：	90 ns
其他特性：	10K WRITE/ERASE CYCLE ENDURANCE; ALSO CONFIGURABLE AS 256K X 16	备用内存宽度：	8
启动块：	TOP	命令用户界面：	YES
数据轮询：	YES	耐久性：	10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDSO-G48	JESD-609代码：	e0
长度：	18.4 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
功能数量：	1	部门数/规模：	1,2,1,7
端子数量：	48	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	512KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP1
封装等效代码：	TSSOP48,.8,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	240	电源：	5 V
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	1.2 mm
部门规模：	16K,8K,32K,64K	最大待机电流：	0.000005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	宽度：	12 mm
Base Number Matches：	1

AS29F400T-90TI 数据手册

AS29F400

Preliminary information

DATA polling algorithm

Toggle bit algorithm

Read byte (DQ0–DQ7)

Address = don’t care

Address = VA^†

DQ7

DQ6

YES

DONE

data

toggle

YES

DQ5

YES

Read byte (DQ0–DQ7)

Address = VA

Read byte (DQ0–DQ7)

Address = don’t care

DQ7

data^‡

DQ6

†

YES

DONE

†

toggle

†

FAIL

YES

FAIL

†

‡

VA = Byte address for programming. VA = any of the sector

addresses within the sector being erased during Sector Erase. VA

= valid address equals any non-protected sector group address

during Chip Erase.

†

DQ6 rechecked even if DQ5 = 1 because DQ6 may stop toggling

when DQ5 changes to 1.

DQ7 rechecked even if DQ5 = 1 because DQ5 and DQ7 may not

change simultaneously.

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