5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | QFJ | 包装说明： | QCCN, LCC32,.45X.55 |
| 针数： | 32 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | 3A001.A.2.C | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.35 | 最长访问时间： | 90 ns |
| 命令用户界面： | YES | 数据轮询： | YES |
| 耐久性： | 1000000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码： | R-CQCC-N32 |
| 长度： | 13.97 mm | 内存密度： | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 部门数/规模： | 8 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 524288 words |
| 字数代码： | 512000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 512KX8 | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码： | QCCN | 封装等效代码： | LCC32,.45X.55 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 编程电压： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 筛选级别： | 38535Q/M;38534H;883B |
| 座面最大高度： | 2.032 mm | 部门规模： | 64K |
| 最大待机电流： | 0.000005 A | 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.04 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 切换位： | YES |
| 类型： | NOR TYPE | 宽度： | 11.43 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AS29F040ECA-90/XT | AUSTIN |
获取价格 |
512K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY |
|
| AS29F040F-120/883C | AUSTIN |
获取价格 |
512K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY |
|
| AS29F040F-120/IT | AUSTIN |
获取价格 |
512K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY |
|
| AS29F040F-120/MIL | MICROSS |
获取价格 |
Flash, |
|
| AS29F040F-120/Q | AUSTIN |
获取价格 |
512K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY |
|
| AS29F040F-120/XT | AUSTIN |
获取价格 |
512K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY |
|
| AS29F040F-150/883C | AUSTIN |
获取价格 |
512K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY |
|
| AS29F040F-150/IT | AUSTIN |
获取价格 |
512K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY |
|
| AS29F040F-150/MIL | MICROSS |
获取价格 |
Flash, |
|
| AS29F040F-150/Q | AUSTIN |
获取价格 |
512K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
