Datasheet > AS29F040CW-60/IT

AS29F040CW-60/IT

更新时间： 2024-02-19 17:44:56

品牌	Logo	应用领域
AUSTIN		内存集成电路
页数	文件大小	规格书
27页	1428K
描述
512K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY

阅读下载

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

AS29F040CW-60/IT 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	DIP	包装说明：	DIP, DIP32,.6
针数：	32	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.52	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	60 ns	命令用户界面：	YES
数据轮询：	YES	耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-CDIP-T32	长度：	42.418 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	功能数量：	1
部门数/规模：	8	端子数量：	32
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	512KX8
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP32,.6	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B	座面最大高度：	5.08 mm
部门规模：	64K	最大待机电流：	0.000005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.04 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
宽度：	15.24 mm	Base Number Matches：	1

FLASH

AS29F040

Austin Semiconductor, Inc.

MECHANICAL DEFINITIONS*

ASI Case (Package Designator CW)

SMD 5962-96692, Case Outline X

SMD SPECIFICATIONS

SYMBOL

MIN

MAX

0ꢀ200

0ꢀ047

0ꢀ193

0ꢀ012

0ꢀ617

1ꢀ686

0ꢀ605

1ꢀ508

0ꢀ140

0ꢀ019

0ꢀ125

0ꢀ009

0ꢀ588

1ꢀ654

0ꢀ580

1ꢀ492

0ꢀ100 BSC

0ꢀ016

0ꢀ020

*All measurements are in inches.

AS29F040

AustinSemiconductor,Inc.reservestherighttochangeproductsorspecificationswithoutnotice.

Rev. 2.2 09/07

下载PDF

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
AS29F040CW-60/MIL	MICROSS	Flash,	获取价格
AS29F040CW-60/Q	AUSTIN	512K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY	获取价格
AS29F040CW-60/XT	AUSTIN	512K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY	获取价格
AS29F040CW-70/883C	AUSTIN	512K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY	获取价格
AS29F040CW-70/IT	AUSTIN	512K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY	获取价格
AS29F040CW-70/MIL	MICROSS	Flash,	获取价格