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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | DIP | 包装说明： | DIP, DIP32,.6 |
| 针数： | 32 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | 3A001.A.2.C | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.52 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 60 ns | 命令用户界面： | YES |
| 数据轮询： | YES | 耐久性： | 1000000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码： | R-CDIP-T32 | 长度： | 42.418 mm |
| 内存密度： | 4194304 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 部门数/规模： | 8 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 524288 words | 字数代码： | 512000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 512KX8 |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP32,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 编程电压： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 筛选级别： | 38535Q/M;38534H;883B | 座面最大高度： | 5.08 mm |
| 部门规模： | 64K | 最大待机电流： | 0.000005 A |
| 子类别： | Flash Memories | 最大压摆率： | 0.04 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 切换位： | YES | 类型： | NOR TYPE |
| 宽度： | 15.24 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| AS29F040CW-60/MIL | MICROSS | Flash, |
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| AS29F040CW-60/Q | AUSTIN | 512K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY |
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| AS29F040CW-60/XT | AUSTIN | 512K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY |
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| AS29F040CW-70/883C | AUSTIN | 512K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY |
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| AS29F040CW-70/IT | AUSTIN | 512K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY |
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| AS29F040CW-70/MIL | MICROSS | Flash, |
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