是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | DIP, DIP32,.6 |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A001.A.2.C | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.52 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 60 ns | 命令用户界面: | YES |
数据轮询: | YES | 耐久性: | 1000000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码: | R-CDIP-T32 | 长度: | 42.418 mm |
内存密度: | 4194304 bit | 内存集成电路类型: | FLASH |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
部门数/规模: | 8 | 端子数量: | 32 |
字数: | 524288 words | 字数代码: | 512000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 512KX8 |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP32,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
编程电压: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | 38535Q/M;38534H;883B | 座面最大高度: | 5.08 mm |
部门规模: | 64K | 最大待机电流: | 0.000005 A |
子类别: | Flash Memories | 最大压摆率: | 0.04 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
切换位: | YES | 类型: | NOR TYPE |
宽度: | 15.24 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
AS29F040CW-60/MIL | MICROSS | Flash, |
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AS29F040CW-60/Q | AUSTIN | 512K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY |
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AS29F040CW-60/XT | AUSTIN | 512K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY |
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AS29F040CW-70/883C | AUSTIN | 512K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY |
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AS29F040CW-70/IT | AUSTIN | 512K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY |
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AS29F040CW-70/MIL | MICROSS | Flash, |
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