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AR5000

更新时间: 2024-01-20 11:34:10
品牌 Logo 应用领域
星合电子 - GXELECTRONICS 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 508K
描述
Rating at 25℃ Ambient temp. Unless otherwise specified. Single phase, half sine wave, 60HZ,resistive or inductive load.

AR5000 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:O-PALF-W2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.76Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.1 VJESD-30 代码:O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流:500 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:50 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
最大重复峰值反向电压:50 V最大反向电流:5 µA
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

AR5000 数据手册

 浏览型号AR5000的Datasheet PDF文件第2页 
星合 子  
XINGHE ELECTRONICS  
AR5000 THRU AR5010  
特性:FEATURES  
◆大电流承受能力.High current capability  
◆低成本.Low cost  
◆扩散烧结. Diffused junction  
◆正向压.Low forward voltage drop  
◆低漏电. Low leakage current  
◆高浪涌承受能力.High surge current capability  
◆高温焊接保证:250/10 .High temperature soldering guaranteed:  
250for 10 seconds  
机械性能:MECHANICAL DATA  
◆ 封  
装: 模AR/ARS 封装.Case: AR/ARS molded plastic  
.端 子:镀锡端子,可焊接性符合MIL-STD-750,方法2026.  
TerminalsSolder plated, solderable per MIL-STD-750 Method 2026  
◆ 极  
◆ 安装位置:任意.Mounting Position: Any  
◆ 重 量:1.8 . Weight: 1.8 grams (0.07ounce)  
性:用阴极色带表示. Polarity : indicated by cathode band  
Dimension in inches(millimeters)  
尺寸单位:inch mm)  
极限值和电参数  
TA= 25℃除非另有规定. 单相,正半弦波,60HZ,阻抗或电感负载.为电容装载,减少电流的 20%  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Rating at 25Ambient temp. Unless otherwise specified.Single phase, half sine wave, 60HZ,resistive or inductive load.  
单 位  
AR/ARS  
TYPE  
符 号  
5000  
50  
5001  
100  
5002  
200  
5004  
400  
5006  
600  
5008  
800  
3510  
1000  
最大峰值反向电压  
VRRM  
VRMS  
VDC  
V
V
V
A
Maximum Current Peak Reverse Voltage  
最大反向有效值电压  
35  
50  
70  
140  
200  
280  
400  
50  
420  
600  
560  
800  
700  
Working Peak Reverse Voltage  
最大直流截止电压  
100  
1000  
Maximum DC Blocking Voltage  
最大正向平均整流电流Ta=125℃,  
Maximum Average Forward Rectified Current  
峰值正向浪涌电流  
IFAV)  
IFSM  
VF  
IR  
500  
A
V
Peak Forward Surge Current 8.3ms Single  
Sine-wave on Rated Load (JEDEC Method)  
最大瞬间正向压降@100A  
1.03  
Maximum Instantaneous Forward Voltage  
Drop at 100A DC  
最大反向直流电流  
1.0  
μA  
Maximum DC Reverse Current Ta = 25℃  
at Rated DCBlocking Voltage Ta = 150℃  
典型结电容  
200  
CJ  
300  
pF  
Typical Junction Capacitance  
工作及储存温度范围  
TJ,TSTG  
-55+150  
Operating AND Storage Temperature Range  
1
GAOMI XINGHE ELECTRONICSCO.,LTD.  
WWW.SDDZG.COM  
TEL:0536-2210359  
QQ:464768017  

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