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APTSM120AM09CD3AG

更新时间： 2024-02-29 21:47:42

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美高森美 - MICROSEMI		/
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7页	594K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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APTSM120AM09CD3AG 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.83
Base Number Matches：	1

APTSM120AM09CD3AG 数据手册

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APTSM120AM09CD3AG

Gate Charge vs Gate Source Voltage

Capacitance vs Drain Source Voltage

100

Ciss

Coss

Crss

I_D= 180A

V_DS= 600V

-5

0.1

180 360 540 720 900 1080 1260

200

400

600

800 1000

Gate Charge (nC)

V_DS, Drain Source Voltage (V)

3rd quadrantCharacteristics

Body diode Characteristics

-4.5 -4 -3.5 -3 -2.5 -2 -1.5 -1 -0.5

V_GS=0V

-5 -4.5 -4 -3.5 -3 -2.5 -2 -1.5

-50

V_GS=-5V

V_GS=0V

V_GS=-2V

-100

-150

-200

-250

-300

-350

-100

-150

-200

-250

-300

-350

V_GS=5V

V_GS=18V

V_GS=20V

V_GS=15V

T_J=25°C

V_DS, Drain source voltage (V)

3rd quadrantCharacteristics

Body diode Characteristics

-4.5 -4 -3.5 -3 -2.5 -2 -1.5 -1

-4 -3.5 -3 -2.5 -2 -1.5 -1 -0.5

V_GS=0V

-50

V_GS=-5V

V_GS=0V

V_GS=-2V

V_GS=5V

-100

-150

-200

-250

-300

-350

-100

-150

-200

-250

-300

-350

V_GS=15V

V_GS=18V

V_GS=20V

T_J=175°C

V_DS, Drain source voltage (V)

OperatingFrequency vs Drain Current

700

V_BUS=600V

D=50%

600

500

400

300

200

100

_G=0.6ꢀ

ZVS

T_J=150°C

T_C=75°C

ZCS

Hard

switching

50 100 150 200 250 300 350

I_D, Drain Current (A)

5 - 7

www.microsemi.com

1 2 3 456 7

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